人工晶体学报, 2020, 49 (11): 1953, 网络出版: 2021-01-26
氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延
Large LatticeMismatched Heteroepitaxial Growth of Nitride Wide Bandgap Semiconductors by MOCVD
氮化镓 氮化铝 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 大失配异质外延 宽禁带半导体 GaN AlN metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) large latticemismatched heteroepitaxial growth wide bandgap semiconductor
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