管式炉中半导体激光器巴条封装

张秋月; 井红旗; 袁庆贺; 马骁宇; 董连和

doi:doi:10.3788/LOP56.091402

激光与光电子学进展, 2019, 56 (9): 091402, 网络出版: 2019-07-05

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Packaging of Semiconductor Laser Bars in Tube Furnace

张秋月 ¹井红旗 ²袁庆贺 ²马骁宇 ²董连和 ^1,*

作者单位

¹ 长春理工大学光电工程学院, 吉林长春 130022

² 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心, 北京 100083

图 & 表

图 1. 外延结构图

Fig. 1. Epitaxial structure

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图 2. 半导体激光器巴条封装结构示意图

Fig. 2. Structural diagram of packing of semiconductor laser bar

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图 3. 不同管炉温度下样品的X射线图。(a) 600 ℃;(b) 650 ℃;(c) 700 ℃

Fig. 3. X-ray patterns of samples at different tube furnace temperatures. (a) 600 ℃; (b) 650 ℃; (c) 700 ℃

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图 4. 半导体激光器巴条测试系统

Fig. 4. Test system of semiconductor laser bar

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图 5. 不同烧结时间下的smile效应成像。(a) 100 s;(b) 110 s;(c) 120 s

Fig. 5. Smile effect imaging at different soldering time. (a) 100 s; (b) 110 s; (c) 120 s

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表 1100 W半导体激光器巴条光电参数

Table1. Photoelectric parameters of 100 W semiconductor laser bar

Serial number	Solderingtime /s	Outputpower /W	Thresholdcurrent /A	Operatingcurrent /A	Operatingvoltage /V	Photoelectricefficiency /%
1	100	101.0	18.42	113	1.80	44.8
2	110	102.5	17.15	114	1.76	47.0
3	120	100.4	18.72	114	1.94	45.9

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张秋月, 井红旗, 袁庆贺, 马骁宇, 董连和. 管式炉中半导体激光器巴条封装[J]. 激光与光电子学进展, 2019, 56(9): 091402. Qiuyue Zhang, Hongqi Jing, Qinghe Yuan, Xiaoyu Ma, Lianhe Dong. Packaging of Semiconductor Laser Bars in Tube Furnace[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2019, 56(9): 091402.

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图 1. 外延结构图

Fig. 1. Epitaxial structure

图 2. 半导体激光器巴条封装结构示意图

Fig. 2. Structural diagram of packing of semiconductor laser bar

图 3. 不同管炉温度下样品的X射线图。(a) 600 ℃;(b) 650 ℃;(c) 700 ℃

Fig. 3. X-ray patterns of samples at different tube furnace temperatures. (a) 600 ℃; (b) 650 ℃; (c) 700 ℃

图 4. 半导体激光器巴条测试系统

Fig. 4. Test system of semiconductor laser bar

图 5. 不同烧结时间下的smile效应成像。(a) 100 s;(b) 110 s;(c) 120 s

Fig. 5. Smile effect imaging at different soldering time. (a) 100 s; (b) 110 s; (c) 120 s

表 1100 W半导体激光器巴条光电参数

Table1. Photoelectric parameters of 100 W semiconductor laser bar

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图 1. 外延结构图

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图 2. 半导体激光器巴条封装结构示意图

Fig. 2. Structural diagram of packing of semiconductor laser bar

图 3. 不同管炉温度下样品的X射线图。(a) 600 ℃;(b) 650 ℃;(c) 700 ℃

Fig. 3. X-ray patterns of samples at different tube furnace temperatures. (a) 600 ℃; (b) 650 ℃; (c) 700 ℃

图 4. 半导体激光器巴条测试系统

Fig. 4. Test system of semiconductor laser bar

图 5. 不同烧结时间下的smile效应成像。(a) 100 s;(b) 110 s;(c) 120 s

Fig. 5. Smile effect imaging at different soldering time. (a) 100 s; (b) 110 s; (c) 120 s

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