垂直腔面发射半导体激光器的特性及其研究现状

李玉娇; 宗楠; 彭钦军

doi:doi:10.3788/LOP55.050006

激光与光电子学进展, 2018, 55 (5): 050006, 网络出版: 2018-09-11

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Characteristics and Progress of Vertical-Cavity Surface-Emitting Semiconductor Lasers

李玉娇 ^1,2宗楠 ^{1,1*; *;}彭钦军 ¹

作者单位

¹ 中国科学院理化技术研究所中国科学院固体激光重点实验室, 北京 100190

² 中国科学院大学, 北京 100049

引用该论文

李玉娇, 宗楠, 彭钦军. 垂直腔面发射半导体激光器的特性及其研究现状[J]. 激光与光电子学进展, 2018, 55(5): 050006.

Yujiao Li, Nan Zong, Qinjun Peng. Characteristics and Progress of Vertical-Cavity Surface-Emitting Semiconductor Lasers[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2018, 55(5): 050006.

引用列表

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李玉娇, 宗楠, 彭钦军. 垂直腔面发射半导体激光器的特性及其研究现状[J]. 激光与光电子学进展, 2018, 55(5): 050006. Yujiao Li, Nan Zong, Qinjun Peng. Characteristics and Progress of Vertical-Cavity Surface-Emitting Semiconductor Lasers[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2018, 55(5): 050006.

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