激光与光电子学进展, 2018, 55 (5): 050006, 网络出版: 2018-09-11   

垂直腔面发射半导体激光器的特性及其研究现状 下载: 4503次

Characteristics and Progress of Vertical-Cavity Surface-Emitting Semiconductor Lasers
李玉娇 1,2宗楠 1,1*; *; 彭钦军 1
作者单位
1 中国科学院理化技术研究所中国科学院固体激光重点实验室, 北京 100190
2 中国科学院大学, 北京 100049
基本信息
DOI: 10.3788/LOP55.050006
中图分类号: TN248
栏目: 总论
项目基金: 国家自然科学基金青年基金(61505226)、
收稿日期: 2017-11-06
修改稿日期: 2017-11-20
网络出版日期: 2018-09-11
通讯作者: 宗楠 ( zongnan@mail.ipc.ac.cn)
备注: --

李玉娇, 宗楠, 彭钦军. 垂直腔面发射半导体激光器的特性及其研究现状[J]. 激光与光电子学进展, 2018, 55(5): 050006. Yujiao Li, Nan Zong, Qinjun Peng. Characteristics and Progress of Vertical-Cavity Surface-Emitting Semiconductor Lasers[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2018, 55(5): 050006.

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