垂直腔面发射半导体激光器的特性及其研究现状

李玉娇; 宗楠; 彭钦军

doi:doi:10.3788/LOP55.050006

激光与光电子学进展, 2018, 55 (5): 050006, 网络出版: 2018-09-11

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Characteristics and Progress of Vertical-Cavity Surface-Emitting Semiconductor Lasers

李玉娇 ^1,2宗楠 ^{1,1*; *;}彭钦军 ¹

作者单位

¹ 中国科学院理化技术研究所中国科学院固体激光重点实验室, 北京 100190

² 中国科学院大学, 北京 100049

图 & 表

图 1. VCSEL结构简图。(a)顶发射结构;(b)底发射结构

Fig. 1. Schematic of VCSEL. (a) Top-emitting; (b) bottom-emitting

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图 2. EP-VECSEL器件结构图

Fig. 2. Device structure chart of EP-VECSEL

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图 3. OP-VECSEL端面抽运装置图

Fig. 3. Edge-pumped setup of OP-VECSEL

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图 4. OP-VECSEL背端抽运装置图

Fig. 4. End-pumped setup of OP-VECSEL

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图 5. OP-VECSEL SESAM被动锁模示意图。(a) V型腔;(b) Z型腔

Fig. 5. Schematic of the passively mode-locked OP-VECSEL. (a) V-shaped cavity; (b) Z-shaped cavity

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李玉娇, 宗楠, 彭钦军. 垂直腔面发射半导体激光器的特性及其研究现状[J]. 激光与光电子学进展, 2018, 55(5): 050006. Yujiao Li, Nan Zong, Qinjun Peng. Characteristics and Progress of Vertical-Cavity Surface-Emitting Semiconductor Lasers[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2018, 55(5): 050006.

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图 1. VCSEL结构简图。(a)顶发射结构;(b)底发射结构

Fig. 1. Schematic of VCSEL. (a) Top-emitting; (b) bottom-emitting

图 2. EP-VECSEL器件结构图

Fig. 2. Device structure chart of EP-VECSEL

图 3. OP-VECSEL端面抽运装置图

Fig. 3. Edge-pumped setup of OP-VECSEL

图 4. OP-VECSEL背端抽运装置图

Fig. 4. End-pumped setup of OP-VECSEL

图 5. OP-VECSEL SESAM被动锁模示意图。(a) V型腔;(b) Z型腔

Fig. 5. Schematic of the passively mode-locked OP-VECSEL. (a) V-shaped cavity; (b) Z-shaped cavity

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图 2. EP-VECSEL器件结构图

Fig. 2. Device structure chart of EP-VECSEL

图 3. OP-VECSEL端面抽运装置图

Fig. 3. Edge-pumped setup of OP-VECSEL

图 4. OP-VECSEL背端抽运装置图

Fig. 4. End-pumped setup of OP-VECSEL

图 5. OP-VECSEL SESAM被动锁模示意图。(a) V型腔;(b) Z型腔

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