半导体光电, 2017, 38 (4): 498, 网络出版: 2017-08-30
背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟
Fabrication and Numerical Simulation of Back-Illuminated InGaN Ultraviolet Photodetector
基本信息
| DOI: | 10.16818/j.issn1001-5868.2017.04.007 |
| 中图分类号: | TN23 |
| 栏目: | 光电器件 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金项目(61106097, 61204134, 11304335) |
| 收稿日期: | 2016-12-22 |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2017-08-30 |
| 通讯作者: | 黄波 (huangbo@shanghaitech.edu.cn) |
| 备注: | -- |
黄波, 许金通, 王玲, 张燕, 李向阳. 背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟[J]. 半导体光电, 2017, 38(4): 498. HUANG Bo, XU Jintong, WANG Lin, ZHANG Yan, LI Xiangyang. Fabrication and Numerical Simulation of Back-Illuminated InGaN Ultraviolet Photodetector[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2017, 38(4): 498.
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