背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟

黄波; 许金通; 王玲; 张燕; 李向阳

doi:doi:10.16818/j.issn1001-5868.2017.04.007

半导体光电, 2017, 38 (4): 498, 网络出版: 2017-08-30

背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟

Fabrication and Numerical Simulation of Back-Illuminated InGaN Ultraviolet Photodetector

黄波 ^1,2,*许金通 ¹王玲 ¹张燕 ¹李向阳 ^1,2

作者单位

¹ 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室, 上海 200083

² 上海科技大学信息学院, 上海 201210

补充材料

黄波, 许金通, 王玲, 张燕, 李向阳. 背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟[J]. 半导体光电, 2017, 38(4): 498. HUANG Bo, XU Jintong, WANG Lin, ZHANG Yan, LI Xiangyang. Fabrication and Numerical Simulation of Back-Illuminated InGaN Ultraviolet Photodetector[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2017, 38(4): 498.