碲镉汞光伏二极管的电流与结深研究

祁娇娇; 赵东升; 徐长斌

doi:doi:10.3969/j.issn.1672-8785.2018.12.003

红外, 2018, 39 (12): 12, 网络出版: 2019-01-10

碲镉汞光伏二极管的电流与结深研究

Study of the Current and Junction Depth of Hg_1-xCd_xTe Photovoltaic Diode

祁娇娇 ^*赵东升徐长斌

作者单位

华北光电技术研究所, 北京 100015

基本信息

DOI:	10.3969/j.issn.1672-8785.2018.12.003
中图分类号:	TN3
栏目:
项目基金:	--
收稿日期:	2018-11-01
修改稿日期:	--
网络出版日期:	2019-01-10
通讯作者:	祁娇娇 (qjj_711@163.com)
备注:	--

祁娇娇, 赵东升, 徐长斌. 碲镉汞光伏二极管的电流与结深研究[J]. 红外, 2018, 39(12): 12. QI Jiao-jiao, ZHAO Dong-sheng, XU Chang-bin. Study of the Current and Junction Depth of Hg_1-xCd_xTe Photovoltaic Diode[J]. INFRARED, 2018, 39(12): 12.