随着红外技术的进步, 红外探测器组件向着更小尺寸、更高分辨率的方向发展。小像元间距、大面阵规格是长波探测器发展的重要方向。通过对10 m 像元间距、9 m截止波长、1280×1024阵列规格长波探测器的研究, 突破了10 m间距长波像元成结技术、10 m像元间距铟柱制备及互连技术, 制备了有效像元率大于等于994%、非均匀性小于等于4%的10 m间距长波1280×1024碲镉汞探测器芯片。
小间距 长波 碲镉汞 small pitch 1280×1024 1280×1024 long-wavelength mercury cadmium telluride
主要介绍了II类超晶格探测器芯片双波段背增膜在探测器中的作用及其膜系设计与制备工艺。该膜的作用是减小探测器芯片表面在响应波段(3～5 m及7～9 m)对红外光的反射率，增强芯片的光响应率，从而提高芯片性能。研究并解决了背增膜在设计与制备工艺中的主要技术问题。根据探测器的使用环境对薄膜进行了相应的牢固性实验及测试。结果表明，此薄膜的光谱响应率和牢固度能充分满足探测器的要求。目前这项背增透薄膜制备工艺已是II类超晶格探测器生产中不可缺少的工艺步骤，应用前景良好。
双色红外探测器 II类超晶格 锑化镓 背增膜 dual-band infrared detector type-II superlattice GaSb back-adding film
碲镉汞(MCT)红外探测器近些年的发展非常迅速。随着相关技术的不断进步，对探测器的要求也越来越高。MCT探测器的表面对杂质、缺陷、损伤、温度等因素非常敏感，而器件的很多性能直接由其表面的性质决定，因此MCT材料表面的钝化被看成是红外探测器制备的关键工艺之一。为了提高器件表面的稳定性，最常用的方法就是对MCT材料表面进行钝化处理。主要介绍了几种常见的MCT材料表面钝化方法，然后结合国内外文献重点介绍了常见的介质膜钝化方法，并对以后的工作进行了展望。
碲镉汞 红外探测器 钝化 mercury cadmium telluride infrared detector passivation
随着红外探测器技术的发展，延长探测器的工作波长成为重要的发展方向之一。由于工作波长随x值的变化而带隙可调，碲镉汞材料得到了广泛应用。随着波长增长，暗电流成为限制红外探测器发展的主要因素。以12.5 m碲镉汞长波红外探测器为例，通过仿真研究了工作温度和固定电荷对其暗电流的影响，并对77 K和60 K下不同种类的暗电流进行了分析。该研究使我们对12.5 m探测器的暗电流具有更深入的了解，为提高12.5 m探测器的制备水平提供了方向。
碲镉汞 红外探测器 暗电流 HgCdTe infrared detector dark current
采用Sentaurus TCAD 软件对 n-on-p型Hg1-xCdxTe红外探测器的结构进行了建模,并就结深对光伏二极管电流的影响进行了仿真和分析。结果表明,结深对电流的影响受吸收层厚度和p区载流子浓度两方面的作用。对不同波长二极管的电流随结深的变化情况进行了拟合,得出了不同波长条件下电流达到最大值时的结深大小。
结深 电流 Hg1-xCdxTe Hg1-xCdxTe junction current
