碲镉汞光伏二极管的电流与结深研究

祁娇娇; 赵东升; 徐长斌

doi:doi:10.3969/j.issn.1672-8785.2018.12.003

红外, 2018, 39 (12): 12, 网络出版: 2019-01-10

碲镉汞光伏二极管的电流与结深研究

Study of the Current and Junction Depth of Hg_1-xCd_xTe Photovoltaic Diode

祁娇娇 ^*赵东升徐长斌

作者单位

华北光电技术研究所, 北京 100015

图 & 表

祁娇娇, 赵东升, 徐长斌. 碲镉汞光伏二极管的电流与结深研究[J]. 红外, 2018, 39(12): 12. QI Jiao-jiao, ZHAO Dong-sheng, XU Chang-bin. Study of the Current and Junction Depth of Hg_1-xCd_xTe Photovoltaic Diode[J]. INFRARED, 2018, 39(12): 12.