砷化镓内电子谷间散射引起的增益

倪争技; 陈麟; 王淑玲; 张大伟; 何波涌; 朱亦鸣

doi:doi:10.3788/cjl20103703.0658

中国激光, 2010, 37 (3): 658, 网络出版: 2010-03-11

砷化镓内电子谷间散射引起的增益

Electrons Intervalley Transfer Gain in Bulk GaAs

倪争技 ^1,*陈麟 ¹王淑玲 ¹张大伟 ¹何波涌 ²朱亦鸣 ^1,2

作者单位

¹ 上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海 200093

² 上海交通大学微电子学院,上海 200240

引用该论文

倪争技, 陈麟, 王淑玲, 张大伟, 何波涌, 朱亦鸣. 砷化镓内电子谷间散射引起的增益[J]. 中国激光, 2010, 37(3): 658.

Ni Zhengji, Chen Lin, Wang Shuling, Zhang Dawei, He Boyong, Zhu Yiming. Electrons Intervalley Transfer Gain in Bulk GaAs[J]. Chinese Journal of Lasers, 2010, 37(3): 658.

引用列表

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2、两能谷效应对GaAs光电导天线载流子输运的影响激光与光电子学进展, 2012, 49 (10): 102601

3、太赫兹时域光谱法测定高电子迁移率晶体管的截止工作频率激光与光电子学进展, 2012, 49 (4): 43003

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倪争技, 陈麟, 王淑玲, 张大伟, 何波涌, 朱亦鸣. 砷化镓内电子谷间散射引起的增益[J]. 中国激光, 2010, 37(3): 658. Ni Zhengji, Chen Lin, Wang Shuling, Zhang Dawei, He Boyong, Zhu Yiming. Electrons Intervalley Transfer Gain in Bulk GaAs[J]. Chinese Journal of Lasers, 2010, 37(3): 658.

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