中国激光, 2010, 37 (3): 658, 网络出版: 2010-03-11
砷化镓内电子谷间散射引起的增益
Electrons Intervalley Transfer Gain in Bulk GaAs
图 & 表
倪争技, 陈麟, 王淑玲, 张大伟, 何波涌, 朱亦鸣. 砷化镓内电子谷间散射引起的增益[J]. 中国激光, 2010, 37(3): 658. Ni Zhengji, Chen Lin, Wang Shuling, Zhang Dawei, He Boyong, Zhu Yiming. Electrons Intervalley Transfer Gain in Bulk GaAs[J]. Chinese Journal of Lasers, 2010, 37(3): 658.