中国激光, 2010, 37 (3): 658, 网络出版: 2010-03-11
砷化镓内电子谷间散射引起的增益
Electrons Intervalley Transfer Gain in Bulk GaAs
基本信息
| DOI: | 10.3788/cjl20103703.0658 |
| 中图分类号: | O473 |
| 栏目: | 实验技术与元件 |
| 项目基金: | 上海市教育委员会、上海市教育发展基金会晨光计划(09CG49)和曙光计划(08SG48),上海市教育委员会科研创新项目(09YZ221),上海高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金(slg08005),上海市委浦江人才计划(09PJ1407800)和上海市科技委员会项目(07DZ22026,08530707400,08ZR1415400,08DZ2272800)资助项目。 |
| 收稿日期: | 2009-04-15 |
| 修改稿日期: | 2009-07-04 |
| 网络出版日期: | 2010-03-11 |
| 通讯作者: | 倪争技 (sioi@usst.edu.cn) |
| 备注: | -- |
倪争技, 陈麟, 王淑玲, 张大伟, 何波涌, 朱亦鸣. 砷化镓内电子谷间散射引起的增益[J]. 中国激光, 2010, 37(3): 658. Ni Zhengji, Chen Lin, Wang Shuling, Zhang Dawei, He Boyong, Zhu Yiming. Electrons Intervalley Transfer Gain in Bulk GaAs[J]. Chinese Journal of Lasers, 2010, 37(3): 658.
PDF全文
