砷化镓内电子谷间散射引起的增益 | 中国激光 -- 中国光学期刊网

中国激光, 2010, 37 (3): 658, 网络出版: 2010-03-11

砷化镓内电子谷间散射引起的增益

Electrons Intervalley Transfer Gain in Bulk GaAs

倪争技 ^1,*陈麟 ¹王淑玲 ¹张大伟 ¹何波涌 ²朱亦鸣 ^1,2

作者单位

¹ 上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海 200093

² 上海交通大学微电子学院,上海 200240

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