光学学报, 1996, 16 (8): 1169, 网络出版: 2006-12-04   

深亚微米激光光刻研究

Deep Submicron Excimer Laser Lithography
作者单位
中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800
摘要
报道用远紫外准分子激光进行亚微米光刻的实验结果。以波长为248.3 nm的KrF准分子激光为光源,以光管均匀器为主构成照明系统,采用带有平行平板为像差校正板的11折反射式投影光刻物镜,在两种光刻胶上分别获得了0.6 μm和0.5 μm的光刻分辨率。
Abstract
Experimental results of deep submicron lithography with a excimer laser are reported in this paper. With a free running KrF excimer laser, an illumination system including a light pipe uniformizer and a broadband catadioptric 1:1 projection lens with an aberration correcting planoparallel plate, the resolutions of 0.6 μm and 0.5 μm L/S patterns are produced on two resists respectively.

路敦武, 黄惠杰, 鄢雨, 杜龙龙, 高瑞昌. 深亚微米激光光刻研究[J]. 光学学报, 1996, 16(8): 1169. 路敦武, 黄惠杰, 鄢雨, 杜龙龙, 高瑞昌. Deep Submicron Excimer Laser Lithography[J]. Acta Optica Sinica, 1996, 16(8): 1169.

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