中国激光, 1998, 25 (6): 495, 网络出版: 2006-10-18  

用超短光脉冲测量半导体微波器件的S参数

S-parameters Measurement of Semiconductor Microwave Devices by Ultrashort Optical Pulses
作者单位
南开大学现代光学研究所国家教委光学信息技术科学开放实验室,天津 300071
引用该论文

袁树忠, 潘家齐, 吕福云, 范万德, 李献元. 用超短光脉冲测量半导体微波器件的S参数[J]. 中国激光, 1998, 25(6): 495.

袁树忠, 潘家齐, 吕福云, 范万德, 李献元. S-parameters Measurement of Semiconductor Microwave Devices by Ultrashort Optical Pulses[J]. Chinese Journal of Lasers, 1998, 25(6): 495.

参考文献

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[2] Yuan Shuzhong, Lü Fuyun, Guan Xinan et al.. Picosecond photoconductive sampling technique and application. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Nankaiensis[南开大学学报(自然科学版)],1994, (1):17~19 (in Chinese)

[3] Jiang Huanwen, Sun Xu. Electron Measure. Beijing: Chinese Measure Press, 1988, 362~365 (in Chinese)

[4] Su Shenghe. Modern Time-domain Measure. Harbin: Harbin Industry University Press, 1989, 253~255 (in Chinese)

袁树忠, 潘家齐, 吕福云, 范万德, 李献元. 用超短光脉冲测量半导体微波器件的S参数[J]. 中国激光, 1998, 25(6): 495. 袁树忠, 潘家齐, 吕福云, 范万德, 李献元. S-parameters Measurement of Semiconductor Microwave Devices by Ultrashort Optical Pulses[J]. Chinese Journal of Lasers, 1998, 25(6): 495.

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