红外与毫米波学报, 2002, 21 (5): 390, 网络出版: 2006-05-10   

高亮度InGaN基白光LED特性研究

CHARACTERISTICS OF HIGH BRIGHTNESS InGaN-BASED WHITE LIGHT EMITTING DIODES
作者单位
1 北京大学物理学院介观物理国家重点实验室,北京,1000871
2 北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871
引用该论文

李忠辉, 丁晓民, 杨志坚, 于彤军 张国义. 高亮度InGaN基白光LED特性研究[J]. 红外与毫米波学报, 2002, 21(5): 390.

李忠辉, 丁晓民, 杨志坚, 于彤军 张国义. CHARACTERISTICS OF HIGH BRIGHTNESS InGaN-BASED WHITE LIGHT EMITTING DIODES[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2002, 21(5): 390.

参考文献

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李忠辉, 丁晓民, 杨志坚, 于彤军 张国义. 高亮度InGaN基白光LED特性研究[J]. 红外与毫米波学报, 2002, 21(5): 390. 李忠辉, 丁晓民, 杨志坚, 于彤军 张国义. CHARACTERISTICS OF HIGH BRIGHTNESS InGaN-BASED WHITE LIGHT EMITTING DIODES[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2002, 21(5): 390.

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