高亮度InGaN基白光LED特性研究

李忠辉; 丁晓民; 杨志坚; 于彤军 张国义

红外与毫米波学报, 2002, 21 (5): 390, 网络出版: 2006-05-10

高亮度InGaN基白光LED特性研究

CHARACTERISTICS OF HIGH BRIGHTNESS InGaN-BASED WHITE LIGHT EMITTING DIODES

李忠辉 ^1,2丁晓民 ^1,2杨志坚 ^1,2于彤军张国义 ^1,2

作者单位

¹ 北京大学物理学院介观物理国家重点实验室,北京,1000871

² 北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871

图 & 表

李忠辉, 丁晓民, 杨志坚, 于彤军张国义. 高亮度InGaN基白光LED特性研究[J]. 红外与毫米波学报, 2002, 21(5): 390. 李忠辉, 丁晓民, 杨志坚, 于彤军张国义. CHARACTERISTICS OF HIGH BRIGHTNESS InGaN-BASED WHITE LIGHT EMITTING DIODES[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2002, 21(5): 390.