根据协同神经网络,提出了一种新的控制参数--序矢量,并着重研究了其在图像检索方面的相关性质.在此基础上,针对商标图像检索,提出了一种高效的基于元素的仿射不变性度量方法.实验表明,该检索算法抗噪、抗缺损能力强,同时对于平移、旋转、缩放具有不变性.

报道用分子束外延(MEB)技术生长的x=0.4,0.8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/ CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果.观测到11H,22H,33H和11L等激子跃迁结构,计及子能级的量子限定效应和晶格失配导致的应力效应,对子能级结构进行了计算,除x=0.8样品的33H能量计算值与实验值有较大偏差外,实验结果与理论符合得很好.还与光致发光谱实验结果进行了比较.

对含有反常色散材料和金属材料散射体无序介质的光子定域化行为进行了理论研究.基于Mie散射理论研究发现,对于某些反常色散电介质球做散射体的无序介质,在较低浓度(10%)下,在中红外区可以实现一定的光子定域化,且频率位于各自的剩余射线带.对金属散射体的无序光学介质的研究表明,各种金属在中红外区的各个频率点上的散射行为均极为相近,结果表明,在整个中红外区几乎不可能实现光子定域化.

对光致发光谱中无黄光和有强黄光的两组GaN样品作了Si离子注入,研究了Si离子注入及退火温度对其黄光的影响.当退火温度升高时,不管是哪一组样品,其黄光强度和黄光强度与带边发光带强度之比都是增强的.无黄光的GaN样品在注入Si离子并经退火后出现明显的黄光;而有强黄光的GaN样品经相同处理后,其黄光强度较原生样品大大降低.实验结果表明离子注入加上适当退火会在GaN中引入与黄光有关的深受主缺陷从而使黄光强度增加,此外,在离子注入过程中GaN表面不仅可以吸附离子注入引入的点缺陷,而且还能够吸附GaN中原有的与黄光有关的点缺陷,这种吸附作用随离子注入剂量增加而变强.

报道了用二次离子质谱分析(SIMS)方法对As在碲镉汞分子束外延中的掺入行为的研究结果.发现As在CdTe、HgCdTe表面的粘附系数很低,并与Hg的介入密切相关.对于单晶HgCdTe外延,在170℃生长温度下As的粘附率相对于多晶室温淀积仅为3×10-4,在此生长温度下,通过优化生长条件获得了表面形貌良好的外延材料.通过控制As束源炉的温度可以很好地控制As在HgCdTe层中的原子浓度.

采用Huybrechts的线性组合算符法和变分法,研究了晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内电子与表面光学(SO)声子强耦合、与体纵光学(LO)声子弱耦合体系的影响,得到了作为距离晶体表面的深度、磁场和温度函数的表面磁极化子的自陷能.对AgCl晶体进行了数值计算,结果表明,不同支声子与电子相互作用对表面磁极化子自陷能的贡献以及它们随距离晶体表面的深度、磁场和温度变化的情况大不相同.

用多模网络与严格模匹配相结合的方法,对部分手征介质填充同轴线的反射和透射特性进行了分析和求解.对横截面采用等效径向传输线,对纵向采用多模传输线方法,并且利用结构的对称性使得问题简化.讨论了不同情形下手征参数和介电常数对反射和透射特性的影响.

介绍了用于自动目标识别的一种新型光电混合系统,并在传统的二值纯位相匹配滤波器的基础上提出了一种优化的匹配滤波器算法.用光学-数字混合系统对该算法进行了畸变不变目标识别实验,计算机仿真及半实物实验证明该系统对一定的畸变范围具有检测识别目标的能力.

提出了一种用于导弹的飞机红外图像高速识别系统.系统基于邻域并行的原理,采用多处理单元并行的处理结构,集图像并行输入、并行处理、并行存储于一体.对于远距离图像,使用适于帧间处理的邻域图像处理机,实现弹目交会状态和目标识别;对于近距离图像,采用探测元与处理电路一一对应的大规模并行数字电路,实现目标部位识别.该系统能够满足弹目高速交会时实时识别的要求.

针对红外无损检测的特殊性,讨论适用于红外无损检测的图像处理,设计适合于红外无损检测的图像处理算法,重点解决了非均匀加热条件下红外图像的校正和局部对比度不同条件下的缺陷分割问题.使红外无损检测与评价达到可视化、智能化、自动化,以充分发挥红外无损检测的优势.

采用多层有限差分法模型等方法,考虑气象等外部因素的影响,在一年四季中对城市建筑物各部分及其周围物体的表面温度进行了逐时计算;运用计算机图形学方法实现了其造型,并绘制出该建筑物在一年不同季节及在一天不同时刻的真实感较强的红外图像.

提出了一种基于PC机的多用途实时序列图像场景产生器,详细描述了该系统的硬件结构、工作流程以及该系统的功能和性能指标,以及该系统的用途.

根据图像边缘检测的思路,在研究SAR图像特性的基础上,提出了一种高分辨SAR图像中港口目标的自动分割算法,并将小波分析成功地应用在预滤波和去噪以及真伪目标识别上,取得了良好的检测效果.

利用自行研制的InGaN/GaN SQW蓝光LED 芯片和YAG:Ge3+荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3),并对其发光强度、色度坐标、I-V、色温及显色性等特性进行了研究.实验结果表明:室温下,正向电流为20mA时,白光LED的轴向发光强度为1.1～2.3cd,正向电压小于3.5V,色度坐标为(0.28,0.34),显色指数约为70.

应用溶胶-凝胶技术在Pt/MgO(100)衬底上成功地制备了Ba0.65Sr0.35TiO3外延薄膜.XRD和SEM分析结果表明:该薄膜在O2气氛中650℃热处理1h后,其(001)面是沿着Pt(100)和MgO(100)面外延取向生长的;薄膜表面均匀致密,厚度为260nm,平均晶粒大小为48.5nm.当测试频率为10kHz时,BST薄膜的介电常数和损耗因子分别为480和0.02.介电常数-温度关系测试结果表明:sol-gel工艺制备的Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜其居里温度在35℃左右,且在该温度下Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜存在扩散铁电相变特征.当外加偏置电压为3V时,BST薄膜的漏电流密度为1.5×10-7A/cm2.该薄膜可作为制备新型非制冷红外焦平面阵列和先进非制冷红外热像仪的优选材料.

通过精确的切割和良好的抛光,从Y2O3稳定的ZrO2块状单晶制得可用于红外激光传输及光纤高温传感的高品质Y2O3-ZrO2单晶矩形光波导.获得的矩形波导截面大于1mm×1mm,长度在45mm～65mm之间.波导的光学性能比用常规LHPG系统生长的Y2O3-ZrO2单晶光纤优越得多,在900nm波长处的光学损耗小于0.03 dB/cm,对1.06μm Nd:YAG激光脉冲的损伤阈值为0.98 MW/cm2,并且能耐受2300℃的高温.实验结果表明,这些波导有望在红外激光传输和2000℃以上的高温光纤传感等领域得到应用.