作者单位
摘要
1 北京大学物理系,100871,北京
2 复旦大学应用表面物理实验室,200433,上海
3 INFM-Dipartimento di Fisica"A.olta"dell' Universitià di Pavia, I-27100 Pavia, Italy
4 INF-Dipartimento di Fisica"A.Volta"dell' Universitià di Pavia, I-27100 Pavia, Italy
5 INFM-Dipartimento di Fisica".Volta"dell' Universitià di Pavia, I-27100 Pavia, Italy
6 INFM-Dipartimento di cienza dei Materiali, Università di Milano Bicocca, 20125 Milano, Italy
报道用分子束外延(MEB)技术生长的x=0.4,0.8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/ CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果.观测到11H,22H,33H和11L等激子跃迁结构,计及子能级的量子限定效应和晶格失配导致的应力效应,对子能级结构进行了计算,除x=0.8样品的33H能量计算值与实验值有较大偏差外,实验结果与理论符合得很好.还与光致发光谱实验结果进行了比较.
光调制反射 激子跃迁 应力效应 超晶格. photoreflectance exciton transitions strain effects superlattices. 
红外与毫米波学报
2002, 21(5): 332
作者单位
摘要
1 复旦大学物理学系三束材料改性国家重点实验室, 上海 200433
2 复旦大学物理学系三束材料改性国家重点实验室, 上海 200433山下正文
3 日本东京理科大学理工学院田幸敏治
4 日本东京理科大学理工学院
采用斯塔克(Stark)光谱(电场调制反射光谱)技术研究了酞菁锡(SnPc)多晶薄膜中的激子跃迁和电荷转移。观察到一系列分子间电荷转移所形成的双分子激子谱带,显示了斯塔克光谱技术在探测淹没于弗伦克尔(Frenkel)激子带下面的微弱电荷转移跃迁方面具有独特的优点和很高的灵敏度。结合光电压作用谱的测量分析,认为弗伦克尔激子激发和电荷转移激子的形成、传输及解离在SnPc及同类材料的电导和光电导初级过程中发挥了重要作用。
斯塔克光谱 酞菁锡(SnPc) 激子跃迁 电荷转移 
光学学报
1996, 16(10): 1460

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