模拟集成电路国家级重点实验室, 重庆 400060
全面综述了硅基超薄柔性芯片在单轴弯曲应力下的力学和电学特性研究进展, 包括弯曲形变的测试方法及应力计算公式, 弯曲应力对器件及单元电路响应特性的影响, 以及考虑应力效应的器件建模方法。弯曲应力会导致MOSFET的迁移率、阈值电压、漏极电流等关键电参数发生变化, 且变化率与所施加的应力大小和方向均密切相关。将器件电学参数随应力变化的数学关系与常规的器件模型相结合, 可得到适用于柔性可弯曲器件的紧凑模型, 从而使下一代计算机辅助设计工具能够满足未来高性能柔性芯片的设计需求。
超薄柔性芯片 弯曲应力效应 压阻系数 器件建模 ultrathin flexible chip bending stress effect MOSFET MOSFET piezoresistive coefficient device modelling
1 北京大学物理系,100871,北京
2 复旦大学应用表面物理实验室,200433,上海
3 INFM-Dipartimento di Fisica"A.olta"dell' Universitià di Pavia, I-27100 Pavia, Italy
4 INF-Dipartimento di Fisica"A.Volta"dell' Universitià di Pavia, I-27100 Pavia, Italy
5 INFM-Dipartimento di Fisica".Volta"dell' Universitià di Pavia, I-27100 Pavia, Italy
6 INFM-Dipartimento di cienza dei Materiali, Università di Milano Bicocca, 20125 Milano, Italy
报道用分子束外延(MEB)技术生长的x=0.4,0.8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/ CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果.观测到11H,22H,33H和11L等激子跃迁结构,计及子能级的量子限定效应和晶格失配导致的应力效应,对子能级结构进行了计算,除x=0.8样品的33H能量计算值与实验值有较大偏差外,实验结果与理论符合得很好.还与光致发光谱实验结果进行了比较.
光调制反射 激子跃迁 应力效应 超晶格. photoreflectance exciton transitions strain effects superlattices.
