人工晶体学报, 2021, 50 (2): 290, 网络出版: 2021-03-30
N型掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中空间间接带电激子跃迁发光的直接证据
Direct Evidence of Spatially Indirect Charged Exciton Transition Photoluminescence in N-doped ZnSe/BeTe Type-Ⅱ Quantum Wells
基本信息
DOI: | -- |
中图分类号: | O471.3 |
栏目: | 研究论文 |
项目基金: | 国家自然科学基金(51672163,51872167) |
收稿日期: | 2020-10-31 |
修改稿日期: | -- |
网络出版日期: | 2021-03-30 |
通讯作者: | 屈尚达 (qushangda@126.com) |
备注: | -- |
屈尚达, 冀子武. N型掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中空间间接带电激子跃迁发光的直接证据[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(2): 290. QU Shangda, JI Ziwu. Direct Evidence of Spatially Indirect Charged Exciton Transition Photoluminescence in N-doped ZnSe/BeTe Type-Ⅱ Quantum Wells[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2021, 50(2): 290.