N型掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中空间间接带电激子跃迁发光的直接证据

屈尚达; 冀子武

人工晶体学报, 2021, 50 (2): 290, 网络出版: 2021-03-30

N型掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中空间间接带电激子跃迁发光的直接证据

Direct Evidence of Spatially Indirect Charged Exciton Transition Photoluminescence in N-doped ZnSe/BeTe Type-Ⅱ Quantum Wells

屈尚达 ^*冀子武

作者单位

山东大学微电子学院，济南 250100

图 & 表

屈尚达, 冀子武. N型掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中空间间接带电激子跃迁发光的直接证据[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(2): 290. QU Shangda, JI Ziwu. Direct Evidence of Spatially Indirect Charged Exciton Transition Photoluminescence in N-doped ZnSe/BeTe Type-Ⅱ Quantum Wells[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2021, 50(2): 290.