850 nm高亮度锥形半导体激光器的光电特性

杨晔; 刘云; 秦莉; 张金龙; 彭航宇; 王烨; 李再金; 胡黎明; 史晶晶; 王超; 宁永强; 王立军

doi:doi:10.3788/fgxb20113206.0593

发光学报, 2011, 32 (6): 593, 网络出版: 2011-06-24

850 nm高亮度锥形半导体激光器的光电特性

Electro-optic Properties of 850 nm High-brightness Tapered Lasers

杨晔 ^1,2,*刘云 ¹秦莉 ¹张金龙 ¹彭航宇 ^1,2王烨 ^1,2李再金 ^1,2胡黎明 ^1,2史晶晶 ^1,2王超 ¹宁永强 ¹王立军 ¹

作者单位

¹ 中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所，吉林长春 130033

² 中国科学院研究生院，北京 100039

引用该论文

杨晔, 刘云, 秦莉, 张金龙, 彭航宇, 王烨, 李再金, 胡黎明, 史晶晶, 王超, 宁永强, 王立军. 850 nm高亮度锥形半导体激光器的光电特性[J]. 发光学报, 2011, 32(6): 593.

YANG Ye, LIU Yun, QIN Li, ZHANG Jin-long, PENG Hang-yu, WANG Ye, LI Zai-jin, HU Li-ming, SHI Jing-jing, WANG Chao, NING Yong-qiang, WANG Li-jun. Electro-optic Properties of 850 nm High-brightness Tapered Lasers[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011, 32(6): 593.

引用列表

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