850 nm高亮度锥形半导体激光器的光电特性 | 发光学报 -- 中国光学期刊网

发光学报, 2011, 32 (6): 593, 网络出版: 2011-06-24

850 nm高亮度锥形半导体激光器的光电特性

Electro-optic Properties of 850 nm High-brightness Tapered Lasers

杨晔 ^1,2,*刘云 ¹秦莉 ¹张金龙 ¹彭航宇 ^1,2王烨 ^1,2李再金 ^1,2胡黎明 ^1,2史晶晶 ^1,2王超 ¹宁永强 ¹王立军 ¹

作者单位

¹ 中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所，吉林长春 130033

² 中国科学院研究生院，北京 100039

锥形半导体激光器高亮度光束传播因子 850 nm 850 nm tapered laser diode high-brightness the beam propagation factor

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