发光学报, 2011, 32 (6): 593, 网络出版: 2011-06-24
850 nm高亮度锥形半导体激光器的光电特性
Electro-optic Properties of 850 nm High-brightness Tapered Lasers
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20113206.0593 |
| 中图分类号: | TN248.4 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 吉林省科技厅重大项目(20096013)、 吉林省科技厅重大项目(20086011)、 吉林省科技厅科技攻关项目(20095004)资助 |
| 收稿日期: | 2011-01-25 |
| 修改稿日期: | 2011-03-24 |
| 网络出版日期: | 2011-06-24 |
| 通讯作者: | 杨晔 (phyangy@gmail.com) |
| 备注: | -- |
杨晔, 刘云, 秦莉, 张金龙, 彭航宇, 王烨, 李再金, 胡黎明, 史晶晶, 王超, 宁永强, 王立军. 850 nm高亮度锥形半导体激光器的光电特性[J]. 发光学报, 2011, 32(6): 593. YANG Ye, LIU Yun, QIN Li, ZHANG Jin-long, PENG Hang-yu, WANG Ye, LI Zai-jin, HU Li-ming, SHI Jing-jing, WANG Chao, NING Yong-qiang, WANG Li-jun. Electro-optic Properties of 850 nm High-brightness Tapered Lasers[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011, 32(6): 593.
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