光学学报, 2015, 35 (6): 0622005, 网络出版: 2015-05-20   

基于等效膜层法的极紫外光刻含缺陷掩模多层膜仿真模型

Simulation Model Based on Equivalent Layer Method for Defective Mask Multilayer in Extremeultra violet Lithography
作者单位
1 中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室, 上海 201800
2 中国科学院大学, 北京 100049
基本信息
DOI: 10.3788/aos201535.0622005
中图分类号: O436
栏目: 光学设计与制造
项目基金: 国家自然科学基金(61474129、61275207、61205102)、科技部国际科技合作专项项目(2011DFR10010)
收稿日期: 2014-12-31
修改稿日期: 2015-03-09
网络出版日期: 2015-05-20
通讯作者: 刘晓雷 (liuxl@siom.ac.cn)
备注: --

刘晓雷, 李思坤, 王向朝. 基于等效膜层法的极紫外光刻含缺陷掩模多层膜仿真模型[J]. 光学学报, 2015, 35(6): 0622005. Liu Xiaolei, Li Sikun, Wang Xiangzhao. Simulation Model Based on Equivalent Layer Method for Defective Mask Multilayer in Extremeultra violet Lithography[J]. Acta Optica Sinica, 2015, 35(6): 0622005.

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