量子电子学报, 2014, 31 (1): 107, 网络出版: 2014-02-26
单量子阱InGaN/GaN势垒高度与LED光电性能关系研究
Relationship between barrier height of single quantum well InGaN/GaN and LED photoelectric performance
基本信息
DOI: | 10.3969/j.issn.1007-5461. 2014.01.016 |
中图分类号: | O47 |
栏目: | 半导体光电 |
项目基金: | 国家自然科学基金(60878063)、广东省自然科学基金重点项目(10251063101000001, 8251063101000006)联合资助 |
收稿日期: | 2013-05-03 |
修改稿日期: | 2013-06-09 |
网络出版日期: | 2014-02-26 |
通讯作者: | 张大庆 (zhangdq-nrist@163.com) |
备注: | -- |
张大庆, 李国斌, 陈长水. 单量子阱InGaN/GaN势垒高度与LED光电性能关系研究[J]. 量子电子学报, 2014, 31(1): 107. ZHANG Da-qing, LI Guo-bin, CHEN Chang-shui. Relationship between barrier height of single quantum well InGaN/GaN and LED photoelectric performance[J]. Chinese Journal of Quantum Electronics, 2014, 31(1): 107.