量子电子学报, 2014, 31 (1): 107, 网络出版: 2014-02-26
单量子阱InGaN/GaN势垒高度与LED光电性能关系研究
Relationship between barrier height of single quantum well InGaN/GaN and LED photoelectric performance
光电子学 量子阱垒高 In含量 数值模拟 InGaN/GaN发光二极管 optoelectronics quantum well barrier height In concentration numerical simulation InGaN/ GaN light emitting diodes
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