MBE growth of tensile-strained Ge quantum wells and quantum dots | Frontiers of Optoelectronics -- 中国光学期刊网

Frontiers of Optoelectronics, 2012, 5 (1): 112, 网络出版: 2012-09-10

MBE growth of tensile-strained Ge quantum wells and quantum dots

MBE growth of tensile-strained Ge quantum wells and quantum dots

Yijie HUO ^1,*Hai LIN ²Robert CHEN ¹Yiwen RONG ¹Theodore I. KAMINS ¹James S. HARRIS ¹

作者单位

¹ Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA

² Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA

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Yijie HUO, Hai LIN, Robert CHEN, Yiwen RONG, Theodore I. KAMINS, James S. HARRIS. MBE growth of tensile-strained Ge quantum wells and quantum dots[J]. Frontiers of Optoelectronics, 2012, 5(1): 112. Yijie HUO, Hai LIN, Robert CHEN, Yiwen RONG, Theodore I. KAMINS, James S. HARRIS. MBE growth of tensile-strained Ge quantum wells and quantum dots[J]. Frontiers of Optoelectronics, 2012, 5(1): 112.

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