强激光与粒子束, 2016, 28 (10): 103002, 网络出版: 2016-09-14
高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理
ADDINNE.BibHigh Power microwave damage mechanism on high electron mobility transistor amplifier
基本信息
DOI: | 10.11884/hplpb201628.151206 |
中图分类号: | -- |
栏目: | 高功率微波 |
项目基金: | -- |
收稿日期: | 2015-11-24 |
修改稿日期: | 2016-03-04 |
网络出版日期: | 2016-09-14 |
通讯作者: | |
备注: | -- |
闫涛, 李平. 高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28(10): 103002. Yan Tao, Li Ping. ADDINNE.BibHigh Power microwave damage mechanism on high electron mobility transistor amplifier[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28(10): 103002.