强激光与粒子束, 2016, 28 (10): 103002, 网络出版: 2016-09-14  

高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理

ADDINNE.BibHigh Power microwave damage mechanism on high electron mobility transistor amplifier
作者单位
西北核技术研究所, 高功率微波技术重点实验室, 西安 710024
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