在TCAD半导体仿真环境中, 建立了0.25 μm栅长的AlGaAs/InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器与微波脉冲作用的仿真模型, 基于器件内部的电场强度、电流密度和温度分布的变化, 研究了1 GHz的微波从栅极和漏极注入的损伤机理。研究结果表明, 从栅极注入约40.1 dBm的微波时, HEMT内部峰值温度随着时间的变化振荡上升, 最终使得器件失效, 栅下靠源侧电流通道和强电场的同时存在使得该位置最容易损伤; 从漏极注入微波时, 注入功率的高低会使器件内部出现不同的响应过程, 注入功率存在一个临界值, 高于该值, 器件有可能在第一个周期内损伤, 损伤位置均在漏极附近。在1 GHz的微波作用下, 漏极注入比栅极注入更难损伤。