发光学报, 2016, 37 (5): 556, 网络出版: 2016-05-11
射频等离子硫钝化GaAs(100)的表面特性
RF Sulfur-plasma Passivation of GaAs(100) Surface
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20163705.0556 |
| 中图分类号: | TN248.4 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(61176048,61177019,61308051)、 吉林省科技发展计划（20150203007GX,20130206016GX）、 中物院高能激光重点实验室基金（2014HEL01）资助项目 |
| 收稿日期: | 2015-12-23 |
| 修改稿日期: | 2016-02-27 |
| 网络出版日期: | 2016-05-11 |
| 通讯作者: | 许留洋 (2012200082@mails.cust.edu.cn) |
| 备注: | -- |
许留洋, 高欣, 袁绪泽, 夏晓宇, 曹曦文, 乔忠良, 薄报学. 射频等离子硫钝化GaAs(100)的表面特性[J]. 发光学报, 2016, 37(5): 556. XU Liu-yang, GAO Xin, YUAN Xu-ze, XIA Xiao-yu, CAO Xi-wen, QIAO Zhong-liang, BO Bao-xue. RF Sulfur-plasma Passivation of GaAs(100) Surface[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(5): 556.
PDF全文
