射频等离子硫钝化GaAs(100)的表面特性 | 发光学报 -- 中国光学期刊网

发光学报, 2016, 37 (5): 556, 网络出版: 2016-05-11

射频等离子硫钝化GaAs(100)的表面特性

RF Sulfur-plasma Passivation of GaAs(100) Surface

许留洋 ^*高欣袁绪泽夏晓宇曹曦文乔忠良薄报学

作者单位

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林长春 130022

射频等离子体光致发光钝化 RF plasma PL passivation GaAs GaAs

知识挖掘

相关论文

1. 垂直腔面发射半导体激光器氧化优化研究

2024年

2. 硅基碲镉汞红外探测器表面钝化研究

2023年

3. 一步法合成硫量子点及其电致发光特性的研究

2023年

4. 联氨溶液钝化GaAs(100)表面特性及其发光性能

2019年

5. CdSe量子点敏化对GaAs发光特性的影响

2019年

6. 衬底钝化处理对CsPbBr₃量子点薄膜发光稳定性影响

2019年

7. 正十八硫醇钝化GaAs(100) 表面特性研究

2018年

8. 氮钝化对Te掺杂GaSb材料光学性质的影响

2018年

9. 射频磁控溅射法制备氮化硅基ZnO薄膜的光致发光性能研究

2017年

10. GaAs半导体表面的等离子氮钝化特性研究

2016年

本文相似领域研究进展，

知识服务

本文主要研究领域论文发表情况：

482篇

159篇

39篇

37篇

33篇

射频等离子体

4篇

1篇

本文研究领域论文发表情况（统计图）：

许留洋, 高欣, 袁绪泽, 夏晓宇, 曹曦文, 乔忠良, 薄报学. 射频等离子硫钝化GaAs(100)的表面特性[J]. 发光学报, 2016, 37(5): 556. XU Liu-yang, GAO Xin, YUAN Xu-ze, XIA Xiao-yu, CAO Xi-wen, QIAO Zhong-liang, BO Bao-xue. RF Sulfur-plasma Passivation of GaAs(100) Surface[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(5): 556.

论文摘要 Full Text 图 & 表补充材料基本信息知识挖掘 Metrics PDF全文参考文献 & 引文

引用该论文： TXT | EndNote

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务，点击此处了解我们的隐私策略。如您需继续使用本网站，请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。

您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!

快速查询高级查询

最近搜索：

大家在搜：人工智能图像处理光子

热门搜索：机器视觉光通信光纤传感器