长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
采用射频等离子方法,对GaAs(100)衬底片表面进行干法硫等离子体钝化,旨在得到性能稳定含硫钝化层。样品经过360 ℃温度条件下的快速热退火,光致发光（PL）测试表明,钝化后的样品PL强度上升了71%。同时,钝化样品的稳定性测试结果表明,样品放置在实验室空气中30 d,其PL强度未出现明显变化,说明GaAs的等离子体干法硫钝化具有较好的性能稳定性。
射频等离子体 光致发光 钝化 RF plasma PL passivation GaAs GaAs
利用射频等离子体化学气相沉积法,以丁烷、氢气和氩气的混合气体为原料,在Φ200 mm锗基片上沉积出均匀的类金刚石薄膜.研究类金刚石薄膜的特性及工艺参数对其性能的影响规律,给出应用于红外装置中的类金刚石薄膜镀膜元件光谱性能.
类金刚石薄膜 射频等离子体 功率密度 diamond-like carbon film RF plasma method power density
南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094
利用射频等离子体分解甲烷的技术在锗片上沉积了非晶结构的类金刚石碳膜。傅里叶红外光谱仪测量显示镀覆了类金刚石碳膜的锗片在红外范围内具有高增透作用,特别在1740～2044cm-1其峰值透过率高达99%,在945.7 cm-1(10.6 μm)处透过率为94.5%。利用实测的透过率曲线和改进的透过率公式,获得了该膜在2.5～12 μm的吸收系数,在1700～2600 cm-1范围内的吸收系数接近于0,在10.6 μm的吸收系数为230 cm-1,膜主要由sp3的C-H键结构组成,各吸收峰均得到了很好的解释。
射频等离子体沉积 类金刚石碳膜 透过率 光学吸收系数。
