长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室， 吉林 长春 130022
采用射频(RF)等离子方法，对GaAs样品进行了150 W高功率等离子氮钝化及快速退火处理。经过该方法钝化后的样品，光致发光(PL)强度上升了91%。XPS分析得出，GaAs样品表面的氮化效果随着氮等离子体功率的增加而逐渐趋于明显。氮化后的样品表面未发现氧化物残余。样品在空气中加热放置30 d，PL强度下降不明显，说明表面钝化层具有良好的稳定性。
等离子 plasma XPS XPS PL PL GaAs GaAs
长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
采用射频等离子方法,对GaAs(100)衬底片表面进行干法硫等离子体钝化,旨在得到性能稳定含硫钝化层。样品经过360 ℃温度条件下的快速热退火,光致发光（PL）测试表明,钝化后的样品PL强度上升了71%。同时,钝化样品的稳定性测试结果表明,样品放置在实验室空气中30 d,其PL强度未出现明显变化,说明GaAs的等离子体干法硫钝化具有较好的性能稳定性。
射频等离子体 光致发光 钝化 RF plasma PL passivation GaAs GaAs
