强激光与粒子束, 2010, 22 (8): 1716, 网络出版: 2010-09-15
采用AlSb缓冲层生长2.3 μmInGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构
Growth 2.3 μm InGaAsSb/AlGaAsSb multi-quantum-well via AlSb buffers
基本信息
| DOI: | -- |
| 中图分类号: | TN24;TN303 |
| 栏目: | 第十九届全国激光技术会议专辑 |
| 项目基金: | 高功率半导体激光国家重点实验室预研基金项目(232480)、 国家自然科学基金项目(60976056) |
| 收稿日期: | 2009-07-14 |
| 修改稿日期: | 2010-03-08 |
| 网络出版日期: | 2010-09-15 |
| 通讯作者: | 尤明慧 (lzhg000@126.com) |
| 备注: | -- |
尤明慧, 高欣, 李占国, 刘国军, 李林, 李梅, 王晓华. 采用AlSb缓冲层生长2.3 μmInGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(8): 1716. You Minghui, Gao Xin, Li Zhanguo, Liu Guojun, Li Lin, Li Mei, Wang Xiaohua. Growth 2.3 μm InGaAsSb/AlGaAsSb multi-quantum-well via AlSb buffers[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22(8): 1716.
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