强激光与粒子束, 2010, 22 (8): 1716, 网络出版: 2010-09-15
采用AlSb缓冲层生长2.3 μmInGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构
Growth 2.3 μm InGaAsSb/AlGaAsSb multi-quantum-well via AlSb buffers
Metrics
摘要访问:6139次
PDF 下载:15次
全文浏览:3次
总被查询:0次
尤明慧, 高欣, 李占国, 刘国军, 李林, 李梅, 王晓华. 采用AlSb缓冲层生长2.3 μmInGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(8): 1716. You Minghui, Gao Xin, Li Zhanguo, Liu Guojun, Li Lin, Li Mei, Wang Xiaohua. Growth 2.3 μm InGaAsSb/AlGaAsSb multi-quantum-well via AlSb buffers[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22(8): 1716.
PDF全文
