强激光与粒子束, 2010, 22 (8): 1716, 网络出版: 2010-09-15
采用AlSb缓冲层生长2.3 μmInGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构
Growth 2.3 μm InGaAsSb/AlGaAsSb multi-quantum-well via AlSb buffers
AlSb缓冲层 InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱 中红外 锑化物 AlSb buffer layer inGaAsSb/AlGaAsSb multi-quantum-well mid-infrared antimonide
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