长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 130022
针对常见的GaSb衬底的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构进行了设计和外延生长。样品通过X-射线测试, 有多级衍射卫星峰出现, 表明量子阱结构的均匀性和界面质量较好, 引入AlSb缓冲层可以降低衬底与外延层之间的界面自由能, 使AlSb起到了一个滤板的作用, 抑制了位错的扩散。光荧光谱测试表明, 室温下量子阱结构中心发光波长在2.3 μm附近。
AlSb缓冲层 InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱 中红外 锑化物 AlSb buffer layer inGaAsSb/AlGaAsSb multi-quantum-well mid-infrared antimonide
