红外与激光工程, 2018, 47 (9): 0920006, 网络出版: 2018-10-06
γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
Effects of time-dependent dielectric breakdown reliability of 130 nm partially depleted SOI MOS devices exposed to γ-ray
基本信息
| DOI: | 10.3788/irla201847.0920006 |
| 中图分类号: | TN386.5 |
| 栏目: | 光电器件及应用 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(11475255)、 国家自然科学基金青年科学基金(11505282)、 中国科学院西部之光项目(2015-XBQN-B-15, XBBS201321) |
| 收稿日期: | 2018-04-05 |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2018-10-06 |
| 通讯作者: | |
| 备注: | -- |
马腾, 苏丹丹, 周航, 郑齐文, 崔江维, 魏莹, 余学峰, 郭旗. γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响[J]. 红外与激光工程, 2018, 47(9): 0920006. Ma Teng, Su Dandan, Zhou Hang, Zheng Qiwen, Cui Jiangwei, Wei Ying, Yu Xuefeng, Guo Qi. Effects of time-dependent dielectric breakdown reliability of 130 nm partially depleted SOI MOS devices exposed to γ-ray[J]. Infrared and Laser Engineering, 2018, 47(9): 0920006.
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