发光学报, 2020, 41 (8): 971, 网络出版: 2020-08-06
InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性
Voltage-temperature Characteristics of InGaAs/GaAs/InGaP Quantum Well Laser
基本信息
DOI: | 10.37188/fgxb20204108.0971 |
中图分类号: | TN248.4;TN365 |
栏目: | 器件制备及器件物理 |
项目基金: | 国家自然科学基金(61674096)、 山东省自然科学基金(ZR2019PA010)资助项目 |
收稿日期: | 2020-04-20 |
修改稿日期: | 2020-05-20 |
网络出版日期: | 2020-08-06 |
通讯作者: | 李金友 (1603743020@qq.com) |
备注: | -- |
李金友, 王海龙, 杨锦, 曹春芳, 赵旭熠, 于文富, 龚谦. InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性[J]. 发光学报, 2020, 41(8): 971. LI Jin-you, WANG Hai-long, YANG Jin, CAO Chun-fang, ZHAO Xu-yi, YU Wen-fu, GONG Qian. Voltage-temperature Characteristics of InGaAs/GaAs/InGaP Quantum Well Laser[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020, 41(8): 971.