InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性

李金友; 王海龙; 杨锦; 曹春芳; 赵旭熠; 于文富; 龚谦

doi:doi:10.37188/fgxb20204108.0971

发光学报, 2020, 41 (8): 971, 网络出版: 2020-08-06

InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性

Voltage-temperature Characteristics of InGaAs/GaAs/InGaP Quantum Well Laser

李金友 ^1,*王海龙 ¹杨锦 ¹曹春芳 ^2,3赵旭熠 ^2,3于文富 ^2,3龚谦 ^2,3

作者单位

¹ 曲阜师范大学物理工程学院山东省激光偏光与信息技术重点实验室, 山东曲阜 273165

² 中国科学院大学信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050

³ 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 上海 200050

图 & 表

李金友, 王海龙, 杨锦, 曹春芳, 赵旭熠, 于文富, 龚谦. InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性[J]. 发光学报, 2020, 41(8): 971. LI Jin-you, WANG Hai-long, YANG Jin, CAO Chun-fang, ZHAO Xu-yi, YU Wen-fu, GONG Qian. Voltage-temperature Characteristics of InGaAs/GaAs/InGaP Quantum Well Laser[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020, 41(8): 971.