光谱学与光谱分析, 2009, 29 (6): 1441, 网络出版: 2010-05-26
GaN基激光器多量子阱垒材料的研究
Research on AlInGaN Quaternary Alloys as MQW Barriers in GaN-Based Laser Diodes
基本信息
DOI: | -- |
中图分类号: | O47 |
栏目: | |
项目基金: | 国家自然科学基金项目(60776042), “863”计划项目(2007AA03Z403)和国家重大科学研究计划项目(2006CB921607)资助 |
收稿日期: | 2008-05-10 |
修改稿日期: | 2008-08-20 |
网络出版日期: | 2010-05-26 |
通讯作者: | 陈伟华 (Whchen919@gmail.com) |
备注: | -- |
陈伟华, 廖辉, 胡晓东, 李睿, 贾全杰, 金元浩, 杜为民, 杨志坚, 张国义. GaN基激光器多量子阱垒材料的研究[J]. 光谱学与光谱分析, 2009, 29(6): 1441. CHEN Wei-hua, LIAO Hui, HU Xiao-dong, LI Rui, JIA Quan-jie, JIN Yuan-hao, DU Wei-min, YANG Zhi-jian, ZHANG Guo-yi. Research on AlInGaN Quaternary Alloys as MQW Barriers in GaN-Based Laser Diodes[J]. Spectroscopy and Spectral Analysis, 2009, 29(6): 1441.