光谱学与光谱分析, 2009, 29 (6): 1441, 网络出版: 2010-05-26  

GaN基激光器多量子阱垒材料的研究

Research on AlInGaN Quaternary Alloys as MQW Barriers in GaN-Based Laser Diodes
作者单位
1 人工微结构与介观物理国家重点实验室, 北京大学物理学院, 北京 100871
2 中国科学院高能物理研究所, 北京 100039
3 北京大学现代光学研究所, 北京 100871
补充材料

陈伟华, 廖辉, 胡晓东, 李睿, 贾全杰, 金元浩, 杜为民, 杨志坚, 张国义. GaN基激光器多量子阱垒材料的研究[J]. 光谱学与光谱分析, 2009, 29(6): 1441. CHEN Wei-hua, LIAO Hui, HU Xiao-dong, LI Rui, JIA Quan-jie, JIN Yuan-hao, DU Wei-min, YANG Zhi-jian, ZHANG Guo-yi. Research on AlInGaN Quaternary Alloys as MQW Barriers in GaN-Based Laser Diodes[J]. Spectroscopy and Spectral Analysis, 2009, 29(6): 1441.

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