光散射学报, 2008, 20 (3): 258, 网络出版: 2014-01-21   

532nm连续激光晶化非晶硅薄膜的原位拉曼光谱研究

In-situ Raman Spectroscopic Study on the Crystallization of Amorphous Silicon Thin Films with a 532 nm Continuous-wave Laser
作者单位
1 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室, 郑州 450052
2 河南农业大学理学院, 郑州 450002
基本信息
DOI: --
中图分类号: TG156.99
栏目: 材料研究中的应用
项目基金: 河南省杰出人才基金(0121001200)
收稿日期: 2008-04-10
修改稿日期: 2008-04-21
网络出版日期: 2014-01-21
通讯作者: 徐二明 (ejliang@zzu.edu.cn)
备注: --

徐二明, 袁超, 王俊平, 霍浩磊, 梁二军. 532nm连续激光晶化非晶硅薄膜的原位拉曼光谱研究[J]. 光散射学报, 2008, 20(3): 258. XU Er-ming, Yuan Chao, WANG Jun-ping, HUO Hao-lei, LIANG Er-jun. In-situ Raman Spectroscopic Study on the Crystallization of Amorphous Silicon Thin Films with a 532 nm Continuous-wave Laser[J]. The Journal of Light Scattering, 2008, 20(3): 258.

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