InGaAs/InP红外雪崩光电探测器的研究现状与进展

胡伟达; 李庆; 温洁; 王文娟; 陈效双; 陆卫

红外技术, 2018, 40 (3): 201, 网络出版: 2018-04-09

InGaAs/InP红外雪崩光电探测器的研究现状与进展

Recent Progress in InGaAs/InP Infrared Avalanche Photodetectors

胡伟达 ^*李庆温洁王文娟陈效双陆卫

作者单位

中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083

引用该论文

胡伟达, 李庆, 温洁, 王文娟, 陈效双, 陆卫. InGaAs/InP红外雪崩光电探测器的研究现状与进展[J]. 红外技术, 2018, 40(3): 201.

HU Weida, LI Qing, WEN Jie, WANG Wenjuan, CHEN Xiaoshuang, LU Wei. Recent Progress in InGaAs/InP Infrared Avalanche Photodetectors[J]. Infrared Technology, 2018, 40(3): 201.

引用列表

1、 Zn扩散对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管雪崩击穿概率的影响光子学报, 2023, 52 (6): 0604001

2、半导体单光子雪崩光电二极管的封装发展光学与光电技术, 2023, 21 (1): 108

3、 SPAD单光子探测器的 SPICE模型及其 CQC淬火电路研究红外技术, 2019, 41 (8): 726

4、激光测距系统中光电探测器的研究进展量子光学学报, 2019, 25 (1): 100

胡伟达, 李庆, 温洁, 王文娟, 陈效双, 陆卫. InGaAs/InP红外雪崩光电探测器的研究现状与进展[J]. 红外技术, 2018, 40(3): 201. HU Weida, LI Qing, WEN Jie, WANG Wenjuan, CHEN Xiaoshuang, LU Wei. Recent Progress in InGaAs/InP Infrared Avalanche Photodetectors[J]. Infrared Technology, 2018, 40(3): 201.

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