对于Fλ/d<2的欠采样成像红外搜索和追踪系统，点目标能量集中在单像素内。由于焦平面阵列像素内灵敏度（IPS：Intra-Pixel Sensitivity）存在空间非均匀性，会降低目标的能量和质心测量精度。传统的光点扫描实验测试和数值仿真方法可有效表征和分析IPS，但系统和模型复杂度高、效率低，且实验测试无法分析IPS空间非均匀性与探测器参数的关系。针对上述问题，提出基于蒙特卡洛方法的HgCdTe红外焦平面阵列IPS仿真模型，分析了IPS空间非均匀性的影响因素。结果表明，减小像素中心距或增大吸收层厚度，IPS的空间非均匀性减小；随波长增大，IPS的空间非均匀性增大。该仿真和分析对高能量集中点目标测量精度的提升具有重要参考意义。

自石墨烯时代以来，具有独特物理、化学和光电特性的二维层状材料(Two-Dimensional Layered Materials，2DLMs)得到了国内外科研人员的广泛关注。2DLMs因其种类的多样化与带隙的层数依赖性，光谱响应范围覆盖了紫外到红外辐射的极宽波段，具有应用于新一代光电探测器件的潜力。此外，2DLMs不受晶格匹配的限制，能以范德瓦尔斯力(Van der Waals，vdWs)与其他维度材料如体材料、纳米线和量子点等结合，制备得到性能独特且优异的复合结构器件。文中概述了几种应用在光电探测器领域的新型2DLMs异质结光电探测器的研究进展，主要包括基于二硒化钨(WSe₂)、黑砷磷(AsP)、三硫化铌(NbS₃)、二硒化钯(PbSe₂)等异质结光电探测器，这些异质结光电探测器在异质结器件结构设计与新型二维半导体工艺技术应用方面做出了创新，在器件增益、结整流比、响应速度与波长探测范围等多个重要器件性能方面获得了突破性的研究成果。同时，文中还简要分析了这类器件研究当前所面临的挑战，并对其未来的发展方向进行了展望。

多量子阱红外探测器是一种新型的利用子带跃迁机制的探测器件，具有非常高的设计自由度。GaN/Al(Ga)N量子阱由于大的导带带阶，超快的电子驰豫时间，超宽的红外透明区域以及高的声子能量，使得其成为继GaAs量子阱红外探测器之后又一潜在的探测材料结构。文中详细综述了国内外关于GaN基量子阱红外子带吸收及其探测器件的研究进展。首先介绍了量子阱红外探测器的工作原理及其选择定则，接着从极性GaN基多量子阱、非极性或半极性GaN基多量子阱以及纳米线结构GaN基多量子阱三个方面回顾当前GaN基多量子阱红外吸收的一些重要研究进展，包括了从近红外到远红外甚至太赫兹波段范围的各种突破。最后回顾了GaN基多量子阱红外探测器件的研究进展，包括其光电响应特性和高频响应特性，并对其未来的发展进行总结和展望。

红外探测在生物医疗、智慧城市、宇宙探索等前沿领域中有着重要的作用。近年来，以二维材料为代表的新型纳尺度半导体并以此形成的具有颠覆性意义的光电探测技术在探测灵敏度、极低暗电流、高工作温度等指标超越了传统薄膜器件的理论极限，是新一代红外光电探测技术有力竞争者之一。文中以局域场调控实现室温高性能光电探测为出发点，介绍了铁电局域场、层间内建电场、面内内建电场调控二维材料光电探测机理与器件实现方法；进一步，针对二维材料其尺寸效应引起的光利用率低或量子效率低的问题，提出了单边异质结和表面等离子激元增强结构的光电性能增强方法；最后列举了二维半导体材料在红外探测器领域的应用探索，展现了新型二维半导体红外探测器的应用潜力与前景，为新一代红外探测器技术提供了新方法和新思路。

太赫兹波由于其独特的光学和电学性质，在物理学、生物学、公共安全检查、局域通信、信息安全、环境监测、无损检测和**科技等民用或**领域都有着广阔的应用前景。太赫兹探测器作为太赫兹领域的核心器件，在太赫兹系统中扮演着重要角色。因此太赫兹探测器的性能，决定了太赫兹系统的应用市场。近年来，太赫兹探测器的发展已取得突破性的成果，但是太赫兹探测器还存在着一些普遍的问题，制冷的太赫兹探测器虽然有响应速率快和噪声等效功率低等优点，但是其紧凑性不好，并且成本较高。室温可工作的太赫兹探测器虽然不需要制冷环境，但是噪声等效功率偏大，灵敏度也不高。该综述从太赫兹探测器的制备材料和器件形式等方面，阐述了太赫兹探测器的发展现状及其应用领域。