谢天 1,2叶新辉 1,2夏辉 2李菊柱 2,3[ ... ]李天信 2,*
作者单位
摘要
1 上海理工大学 材料科学与工程学院,上海 200093
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
3 上海师范大学 数理学院,上海 200234
4 上海科技大学 物质科学与技术学院,上海 201210
室温工作将为光子型红外探测开辟更广泛的应用,系统整理和分析了从近红外到长波红外的III–V族及Ⅱ-Ⅵ族半导体探测器的室温性能,讨论不同材料体系和器件结构的室温暗电流机制。其中InAs/GaSb等二类超晶格的短周期带间级联结构以及HgCdTe抑制俄歇过程的方案在提升中长波红外室温探测性能方面都显示出了独特的优势。这些电子学结构的设计与近年来亚波长光子结构增强耦合、降低暗电流的新进展相结合,有望实现近室温工作的高灵敏红外探测。
室温红外光电探测 暗电流机制 带间级联 碲镉汞 亚波长光子结构 room temperature infrared detection dark current mechanism interband cascade HgCdTe subwavelength photon structure 
红外与毫米波学报
2020, 39(5): 583
作者单位
摘要
中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
近年来, 量子卫星通信、主动成像等先进技术的应用取得了较大的进展, InGaAs/InP雪崩光电探测器作为信息接收端的核心器件起到了至关重要的作用。本文系统介绍了 InGaAs/InP雪崩光电探测器的工作原理, 分析了器件结构设计对暗电流特性的影响, 对盖格模式下多种单光子探测电路进行了综述, 同时对新型金属-绝缘体-金属结构设计的研究进展进行了介绍和展望。
InGaAs/InP红外雪崩光电探测器 暗电流机制 单光子探测 表面等离共振效应 InGaAs/InPinfrared avalanche photodetectors dark current mechanism single-photon detection surface plasmon resonance effect 
红外技术
2018, 40(3): 201

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